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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
比较
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
总分
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
总分
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.8
12.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.3
8.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
34
左右 -21% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
28
读取速度,GB/s
16.8
12.2
写入速度,GB/s
11.3
8.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2968
2018
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Kingston 9905403-170.A00LF 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
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