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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
比较
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
总分
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
总分
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
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规格
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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
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Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
34
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20
16.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.9
11.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
29
读取速度,GB/s
16.8
20.0
写入速度,GB/s
11.3
15.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2968
3713
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
UMAX Technology 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
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