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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
比较
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
总分
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
总分
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
34
左右 -31% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
16.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.6
11.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
26
读取速度,GB/s
16.8
19.1
写入速度,GB/s
11.3
15.6
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2968
3609
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
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