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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
比较
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
总分
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.8
16.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
34
左右 -3% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.4
11.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
33
读取速度,GB/s
16.8
16.4
写入速度,GB/s
11.3
12.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2968
2949
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
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