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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
比较
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
总分
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
34
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.5
16.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.4
11.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
29
读取速度,GB/s
16.8
18.5
写入速度,GB/s
11.3
14.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2968
3457
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
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