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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
比较
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
总分
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
总分
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
18
34
左右 -89% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.3
16.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.8
11.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
18
读取速度,GB/s
16.8
20.3
写入速度,GB/s
11.3
17.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2968
3507
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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology C 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
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