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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
比较
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Kingston 9905624-004.A00G 4GB
总分
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
总分
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.8
16.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
34
左右 -48% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.0
11.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
23
读取速度,GB/s
16.8
16.3
写入速度,GB/s
11.3
12.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2968
2512
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
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