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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
比较
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
总分
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
总分
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.8
14.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.3
10.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
34
左右 -36% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
25
读取速度,GB/s
16.8
14.5
写入速度,GB/s
11.3
10.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2968
2620
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
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