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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
比较
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
总分
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
总分
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
55
左右 38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.3
7.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
55
读取速度,GB/s
16.8
9.4
写入速度,GB/s
11.3
7.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2968
2185
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
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