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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
比较
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
总分
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
总分
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
64
左右 47% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.3
8.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17
16.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
64
读取速度,GB/s
16.8
17.0
写入速度,GB/s
11.3
8.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2968
2103
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB RAM的比较
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G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
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