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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
比较
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
总分
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
总分
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
36
左右 6% 更低的延时
需要考虑的原因
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
21.3
16.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.8
11.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
36
读取速度,GB/s
16.8
21.3
写入速度,GB/s
11.3
16.8
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2968
3610
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
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