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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
比较
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
总分
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
总分
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
53
左右 36% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.3
9.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
20
16.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
53
读取速度,GB/s
16.8
20.0
写入速度,GB/s
11.3
9.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2968
2366
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB RAM的比较
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
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