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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
比较
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
总分
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
总分
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
47
左右 40% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
9.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
47
读取速度,GB/s
18.2
11.8
写入速度,GB/s
11.5
9.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3067
2323
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
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