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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
比较
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
总分
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
总分
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
75
左右 63% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
6.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
75
读取速度,GB/s
18.2
14.7
写入速度,GB/s
11.5
6.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3067
1590
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
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