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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
比较
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
总分
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
总分
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
差异
规格
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需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
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Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
28
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.5
18.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.3
11.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
24
读取速度,GB/s
18.2
19.5
写入速度,GB/s
11.5
16.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3067
3718
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
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