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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
比较
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
总分
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
总分
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
30
左右 7% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
16.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
11.8
11.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
30
读取速度,GB/s
18.2
16.4
写入速度,GB/s
11.5
11.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3067
2846
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
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