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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
比较
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
总分
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
总分
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.2
16.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
28
左右 -4% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.1
11.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
27
读取速度,GB/s
18.2
16.5
写入速度,GB/s
11.5
13.1
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3067
3061
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB RAM的比较
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Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Kingston 9905702-150.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
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