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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
比较
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
总分
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.2
17.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
28
左右 -22% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.5
11.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
23
读取速度,GB/s
18.2
17.2
写入速度,GB/s
11.5
13.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3067
2966
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
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