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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
比较
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
总分
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
34
左右 18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
15.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.0
11.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
34
读取速度,GB/s
18.2
15.7
写入速度,GB/s
11.5
12.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3067
2831
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
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