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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
比较
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
总分
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.2
16.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
10.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
28
左右 -8% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
26
读取速度,GB/s
18.2
16.5
写入速度,GB/s
11.5
10.1
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3067
3025
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
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