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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
比较
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
总分
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
36
左右 22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
16.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
14.4
11.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
36
读取速度,GB/s
18.2
16.2
写入速度,GB/s
11.5
14.4
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3067
3166
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB RAM的比较
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
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