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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
比较
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
总分
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
总分
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
33
左右 15% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
8.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
33
读取速度,GB/s
18.2
10.6
写入速度,GB/s
11.5
8.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3067
2503
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
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Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
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