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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
比较
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
总分
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
总分
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
42
左右 33% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
12.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.5
11.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
42
读取速度,GB/s
18.2
12.9
写入速度,GB/s
11.5
12.5
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3067
3126
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
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