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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
比较
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
总分
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
总分
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.2
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
7.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
28
左右 -12% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
25
读取速度,GB/s
18.2
13.4
写入速度,GB/s
11.5
7.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3067
2098
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
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Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
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Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
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Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
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