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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
比较
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
总分
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
33
左右 15% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
10.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
33
读取速度,GB/s
18.2
14.9
写入速度,GB/s
11.5
10.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3067
2800
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
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Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
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Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
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