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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
比较
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
总分
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
34
左右 18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
15.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
11.6
11.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
34
读取速度,GB/s
18.2
15.7
写入速度,GB/s
11.5
11.6
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3067
2776
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC5N-DI 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
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