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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
比较
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
总分
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
总分
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
30
左右 7% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
5.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
30
读取速度,GB/s
18.2
11.8
写入速度,GB/s
11.5
5.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3067
1984
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB RAM的比较
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
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