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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
比较
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
总分
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
总分
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
95
左右 71% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
15.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
7.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
95
读取速度,GB/s
18.2
15.8
写入速度,GB/s
11.5
7.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3067
1518
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
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