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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Team Group Inc. 16GB
比较
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Team Group Inc. 16GB
总分
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
总分
Team Group Inc. 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
29
左右 3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
15.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Team Group Inc. 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.3
11.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Team Group Inc. 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
29
读取速度,GB/s
18.2
15.3
写入速度,GB/s
11.5
13.3
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3067
2873
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Team Group Inc. 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
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Kingston 9965596-036.B00G 8GB
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Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
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