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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
比较
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
总分
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
总分
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
30
左右 30% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
15.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.9
12.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
30
读取速度,GB/s
17.4
15.5
写入速度,GB/s
12.2
12.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3130
3044
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB RAM的比较
Corsair CMY32GX3M4B2666C11 8GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB RAM的比较
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
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