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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
比较
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
总分
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
总分
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
29
左右 28% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
17
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.6
12.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
29
读取速度,GB/s
17.4
17.0
写入速度,GB/s
12.2
12.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3130
3209
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Mushkin 991586 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
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