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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
比较
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
总分
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
总分
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
24
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.2
17.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.6
12.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
24
读取速度,GB/s
17.4
19.2
写入速度,GB/s
12.2
16.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3130
4032
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB RAM的比较
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
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