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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
比较
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
总分
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
总分
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
32
左右 34% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.5
17.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
12.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
32
读取速度,GB/s
17.4
18.5
写入速度,GB/s
12.2
13.4
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3130
3356
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
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