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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
比较
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
总分
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
总分
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
31
左右 32% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
20.6
17.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.7
12.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
31
读取速度,GB/s
17.4
20.6
写入速度,GB/s
12.2
14.7
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
3130
3367
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
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