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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
比较
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
总分
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
总分
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
77
左右 73% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
6.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
77
读取速度,GB/s
17.4
11.9
写入速度,GB/s
12.2
6.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3130
1517
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
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