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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
比较
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
总分
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
总分
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
36
左右 42% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
17.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
14.9
12.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
36
读取速度,GB/s
17.4
17.1
写入速度,GB/s
12.2
14.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3130
3449
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
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