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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
比较
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
总分
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
总分
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
29
左右 28% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.3
17.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
12.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
29
读取速度,GB/s
17.4
18.3
写入速度,GB/s
12.2
14.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3130
3442
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
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