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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
比较
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
总分
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
总分
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
26
左右 19% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.3
17.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.7
12.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
26
读取速度,GB/s
17.4
19.3
写入速度,GB/s
12.2
16.7
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3130
3733
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB RAM的比较
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
INTENSO 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
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