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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
比较
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
总分
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
50
左右 58% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
17.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.1
12.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
50
读取速度,GB/s
17.4
17.2
写入速度,GB/s
12.2
13.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3130
3277
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
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Kingston KF552C40-16 16GB
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
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