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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
比较
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
总分
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
总分
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
34
左右 38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
14.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
9.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
34
读取速度,GB/s
17.4
14.5
写入速度,GB/s
12.2
9.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3130
2576
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
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