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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
比较
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
29
左右 28% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
16.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
12.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
29
读取速度,GB/s
17.4
16.9
写入速度,GB/s
12.2
12.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3130
2601
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
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