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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
比较
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
29
左右 28% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
16.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
12.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
29
读取速度,GB/s
17.4
16.9
写入速度,GB/s
12.2
12.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3130
2601
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
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G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
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