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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
比较
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
总分
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
44
左右 52% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
17.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
10.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
44
读取速度,GB/s
17.4
17.3
写入速度,GB/s
12.2
10.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3130
2523
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
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