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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
比较
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
总分
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
总分
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
23
左右 9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
15.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
10.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
23
读取速度,GB/s
17.4
15.8
写入速度,GB/s
12.2
10.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3130
2373
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Mushkin 991586 2GB
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