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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
比较
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
总分
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
26
左右 19% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
9.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
26
读取速度,GB/s
17.4
14.8
写入速度,GB/s
12.2
9.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3130
2437
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
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