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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
比较
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
总分
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
总分
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
30
左右 30% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
17
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.9
12.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
30
读取速度,GB/s
17.4
17.0
写入速度,GB/s
12.2
12.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3130
3255
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
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