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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
比较
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
总分
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
总分
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
26
左右 19% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
16.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.7
12.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
26
读取速度,GB/s
17.4
16.2
写入速度,GB/s
12.2
12.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3130
2728
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
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