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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
比较
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
总分
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
总分
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
32
左右 34% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
16
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
10.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
32
读取速度,GB/s
17.4
16.0
写入速度,GB/s
12.2
10.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3130
2714
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB RAM的比较
Corsair CMY32GX3M4B2666C11 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
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G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
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