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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
比较
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
总分
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
总分
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
54
左右 61% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
9.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
7.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
54
读取速度,GB/s
17.4
9.3
写入速度,GB/s
12.2
7.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3130
1904
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB RAM的比较
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Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 991988 (996988) 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
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Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
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