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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
比较
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
总分
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
总分
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
33
左右 36% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
10.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
8.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
33
读取速度,GB/s
17.4
10.3
写入速度,GB/s
12.2
8.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3130
2235
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Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
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