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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
比较
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
总分
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
总分
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
34
左右 38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
14.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
10.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
34
读取速度,GB/s
17.4
14.3
写入速度,GB/s
12.2
10.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3130
2201
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Frequency (Mhz) *
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
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